Caracter铆sticas de conmutaci贸n de IGBT

<p>Las caracter铆sticas de conmutaci贸n de IGBT son b谩sicamente la representaci贸n gr谩fica del comportamiento de IGBT durante su proceso de encendido y apagado.

El tiempo de activaci贸n se define como el tiempo entre el instante del bloqueo hacia adelante y el modo de conducci贸n hacia adelante. Aqu铆, conducci贸n directa significa que el dispositivo conduce en direcci贸n directa. El tiempo de encendido (ton) se compone b谩sicamente de dos tiempos diferentes: tiempo de retardo (tdn) y tiempo de subida (tr). Por tanto, podemos decir que ton = tdn + tr.

El tiempo de retardo se define como el tiempo que tarda la tensi贸n colector-emisor (VCE) en caer de VCE a 0,9 VCE. Esto simplemente significa que el voltaje del colector-emisor cae al 90% en el tiempo de retardo y, por lo tanto, la corriente del colector aumenta desde la corriente de fuga inicial a 0.1IC (10%). Por lo tanto, el tiempo de retardo tambi茅n se puede definir como el per铆odo de tiempo durante el cual la corriente del colector aumenta desde cero (de hecho, una peque帽a corriente de fuga) hasta el 10 % del valor final de la corriente del colector IC.

El tiempo de subida tr es el tiempo durante el cual la tensi贸n colector-emisor cae de 0,9 VCE a 0,1 VCE. Esto significa que, durante el tiempo de subida, el voltaje colector-emisor cae del 90% al 10%. Por lo tanto, la corriente del colector se acumula hasta el valor final de la corriente del colector IC del 10 %. Despu茅s de un tiempo ton, la corriente del colector se convierte en IC y el voltaje del colector-emisor cae a un valor muy peque帽o llamado ca铆da de conducci贸n (VCES).

A continuaci贸n se muestran las caracter铆sticas de conmutaci贸n t铆picas de un IGBT. Puede correlacionar el tiempo de retraso, el tiempo de subida y el tiempo de encendido.

Caracter铆sticas de conmutaci贸n de IGBT

Centr茅monos ahora en el tiempo de apagado. A diferencia del tiempo de encendido, el tiempo de apagado se compone de tres intervalos:

  • Tiempo de retardo, tdf
  • Tiempo de ca铆da inicial, tf1
  • Tiempo de ca铆da final, tf2

Por lo tanto, el tiempo de apagado es la suma de los tres intervalos de tiempo diferentes anteriores, es decir, toff = tdf + tf1 + tf2. Consulte las caracter铆sticas de conmutaci贸n de IGBT para la interpretaci贸n de los tiempos anteriores.

El tiempo de retardo es el tiempo durante el cual el voltaje de puerta cae de VGE al voltaje de umbral VGET. A medida que el voltaje de la puerta cae a VGE durante tdf, la corriente del colector cae de IC a 0.9IC. Al final del tiempo de retardo, el voltaje colector-emisor comienza a aumentar.

El primer tiempo de ca铆da tf1 se define como el tiempo durante el cual la corriente del colector cae del 90% al 20% de su valor final IC. En otras palabras, es el tiempo durante el cual la tensi贸n colector-emisor sube de VCES a 0,1 VCE.

El tiempo de ca铆da final tf2 es el tiempo durante el cual la corriente del colector cae del 20 % al 10 % de IC o el tiempo durante el cual la tensi贸n colector-emisor aumenta de 0,1 VCE al valor final VCE.

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