Conexi贸n de emisor com煤n (o configuraci贸n CE)

<p>Definici贸n: La configuraci贸n en la que el emisor est谩 conectado entre el colector y la base se conoce como configuraci贸n de emisor com煤n. El circuito de entrada est谩 conectado entre el emisor y la base, y el circuito de salida se toma del colector y el emisor. Por lo tanto, el emisor es com煤n tanto al circuito de entrada como al de salida y, por lo tanto, el nombre es configuraci贸n de emisor com煤n. La disposici贸n del emisor com煤n para el transistor NPN y PNP se muestra en la siguiente figura.

configuraci贸n de emisor com煤n

com煤n-emisor-configuraci贸n-imagen-2

Índice de contenidos

Factor de amplificaci贸n de corriente base (尾)

El factor de amplificaci贸n de corriente base se define como la relaci贸n entre la corriente de salida y la de entrada en una configuraci贸n de emisor com煤n. En la amplificaci贸n de emisor com煤n, la corriente de salida es la corriente de colector IC y la corriente de entrada es la corriente de base IB.

En otras palabras, la relaci贸n de cambio en la corriente del colector con respecto a la corriente base se conoce como factor de amplificaci贸n base. Est谩 representado por 尾 (beta).

CE-configuraci贸n-ecuaci贸n-1

Relaci贸n entre el factor de amplificaci贸n actual (伪) y el factor de amplificaci贸n base (尾)

La relaci贸n entre 螔 y 伪 se puede derivar como

sabemos,
ce-configuration--ecuaci贸n-2

Ahora,

ce-configuraci贸n-ecuaci贸n-3

Sustituyendo el valor de 螖IE en la ecuaci贸n (1), obtenemos,

ce-configuraci贸n-ecuaci贸n-4La ecuaci贸n anterior muestra que cuando 伪 llega a la unidad, entonces 尾 llega al infinito. En otras palabras, la ganancia de corriente en una configuraci贸n de emisor com煤n es muy alta y, por esta raz贸n, el circuito de arreglo de emisor com煤n se usa en todas las aplicaciones de transistores.

Colector de corriente

En la configuraci贸n CE, la corriente de entrada IB y la corriente de salida IC est谩n relacionadas por la ecuaci贸n que se muestra a continuaci贸n.

ce-configuraci贸n-ecuaci贸n-5

corriente de colector

Si la corriente base est谩 abierta (es decir, IB = 0). La corriente del colector es corriente para el emisor, y esta corriente se abrevia como ICEO, que significa corriente colector-emisor con la base abierta.

CE-configuraci贸n-ecuaci贸n-6

Sustituyendo el valor 螖IB en las ecuaciones (1), obtenemos,

CE-configuraci贸n-ecuaci贸n-7

Caracter铆sticas de la configuraci贸n de emisor com煤n (CE)

La caracter铆stica del circuito de transistor de emisor com煤n se muestra en la siguiente figura. El voltaje de base a emisor var铆a ajustando el potenci贸metro R1. Y el voltaje del colector al emisor vari贸 ajustando el potenci贸metro R2. Para los distintos ajustes, la corriente y el voltaje se toman de los miliamper铆metros y volt铆metros. Sobre la base de estas lecturas, la curva de entrada y salida se traz贸 en la curva.

curva caracter铆stica

Curva caracter铆stica de entrada

La curva trazada entre la corriente base IB y el voltaje base-emisor VEB se denomina curva caracter铆stica de entrada. Para dibujar la caracter铆stica de entrada, la lectura de las corrientes de base se toma a trav茅s del amper铆metro en el voltaje del emisor VBE a una corriente colector-emisor constante. La curva para diferentes valores de la corriente de la base del colector se muestra en la siguiente figura.

caracter铆stica de entrada

La curva para la configuraci贸n de base com煤n es similar a la caracter铆stica de un diodo directo. La corriente base IB aumenta con los aumentos en el voltaje emisor-base VBE. Por lo tanto, la resistencia de entrada de la configuraci贸n CE es comparativamente m谩s alta que la de la configuraci贸n CB.

El efecto de CE no provoca una gran desviaci贸n en las curvas y, por lo tanto, se ignora el efecto de un cambio en VCE en la caracter铆stica de entrada.

Resistencia de entrada: La relaci贸n entre el cambio en el voltaje base-emisor VBE y el cambio en la corriente base 鈭咺B a un voltaje colector-emisor constante VCE se conoce como resistencia de entrada, es decir,

entrada-caracter铆stica-curva

Caracter铆stica de salida

En la configuraci贸n CE, la curva que se dibuja entre la corriente de colector IC y la tensi贸n de colector-emisor VCE a una corriente de base constante IB se denomina caracter铆stica de salida. La curva caracter铆stica para el transistor NPN t铆pico en configuraci贸n CE se muestra en la siguiente figura.

curva caracter铆stica de salida

En la regi贸n activa, la corriente del colector aumenta ligeramente a medida que aumenta la corriente VCE del colector-emisor. La pendiente de la curva es bastante mayor que la caracter铆stica de salida de la configuraci贸n CB. La resistencia de salida de la conexi贸n base com煤n es mayor que la de la conexi贸n CE.

El valor de la corriente de colector IC aumenta con el aumento de VCE a voltaje constante IB, el valor 尾 de tambi茅n aumenta.

Cuando cae el VCE, el IC tambi茅n disminuye r谩pidamente. La uni贸n colector-base del transistor siempre en polarizaci贸n directa y trabajo saturado. En la regi贸n de saturaci贸n, la corriente del colector se vuelve independiente y libre de la corriente de entrada IB

En la regi贸n activa IC = 尾IB, una peque帽a corriente IC no es cero y es igual a la corriente de fuga inversa ICEO.

Resistencia de salida: La relaci贸n entre la variaci贸n de la tensi贸n colector-emisor y la corriente colector-emisor se conoce a corrientes de colector a una corriente de base constante IB y se denomina resistencia de salida ro.

curva caracter铆stica de salida

El valor de la resistencia de salida de la configuraci贸n CE es mayor que el de CB

Dejar un comentario