Diferencia entre diodo y tiristor

Una de las diferencias cruciales entre el diodo y el tiristor es que un diodo es un dispositivo de dos terminales que se utiliza para aplicaciones de rectificaciΓ³n y conmutaciΓ³n. A diferencia de un tiristor, es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para fines de conmutaciΓ³n. Esto genera la mayor diferencia en su funcionamiento.

Sabemos que tanto el diodo como el tiristor son dispositivos semiconductores formados por la combinaciΓ³n de material semiconductor de tipo p y n. Sin embargo, existen varios factores que diferencian a los dos.

    GrΓ‘fica comparativa

    Base para el tiristor de diodo de comparaciΓ³n (SCR)

    SΓ­mbolosΓ­mbolo de diodosΓ­mbolo de tiristor
    Tipo de dispositivoDispositivo rectificador no controlado (ya que no se requiere impulso de disparo).Dispositivo de encendido controlado (ya que se necesita pulso de disparo).
    NΓΊmero de capas24
    NΓΊmero de uniones13
    Número de terminales2 (Ñnodo y cÑtodo)3 (Ánodo, CÑtodo y Puerta)
    Capacidad de manejo de potenciaBienMejor
    TensiΓ³n de funcionamientoBajoComparativamente alto
    CostoMenos costosoMΓ‘s caro
    PesoPeso ligerocomparativamente pesado

    DefiniciΓ³n de diodo

    Un diodo es un dispositivo de dos terminales formado por combinaciΓ³n de ap y un material semiconductor de tipo n que permite la conducciΓ³n en una sola direcciΓ³n. PrΓ‘cticamente se dice que el diodo permite la conducciΓ³n solo cuando estΓ‘ polarizado en directa y restringe el flujo de corriente en la condiciΓ³n de polarizaciΓ³n inversa.

    La figura que se muestra a continuaciΓ³n representa un diodo de uniΓ³n pn con polarizaciΓ³n directa:

    diodo de polarizaciΓ³n directa

    Inicialmente, cuando no se proporciona potencial externo, entonces tambiΓ©n los portadores mayoritarios de ambas regiones se desplazan a travΓ©s de la uniΓ³n para combinarse. DespuΓ©s de cierto tiempo, los iones inmΓ³viles se depositan en ambos lados de la uniΓ³n, lo que produce una regiΓ³n de agotamiento.

    Una vez que se genera la capa de agotamiento, se producirΓ‘ un mayor movimiento de los portadores de carga solo cuando se proporcione una polarizaciΓ³n externa. Entonces, cuando se proporciona una polarizaciΓ³n directa, los agujeros y los electrones de los lados p y n, respectivamente, son repelidos por el terminal positivo y negativo de la baterΓ­a. Esto reduce el ancho de la regiΓ³n de agotamiento y los portadores se desplazan a travΓ©s de la uniΓ³n por la acciΓ³n del potencial externo.

    Este movimiento de portadores genera corriente elΓ©ctrica a travΓ©s del dispositivo y la direcciΓ³n del flujo de corriente serΓ‘ opuesta a la direcciΓ³n del flujo de electrones.

    La figura que se muestra a continuaciΓ³n representa la condiciΓ³n de polarizaciΓ³n inversa del diodo de uniΓ³n pn:

    diodo de polarizaciΓ³n inversa

    AquΓ­ podemos ver claramente que la regiΓ³n p estΓ‘ conectada al terminal negativo y la regiΓ³n n estΓ‘ conectada al terminal positivo de la baterΓ­a.

    Entonces, ahora la mayorΓ­a de los portadores de carga de ambas regiones experimentan fuerza de atracciΓ³n desde el terminal de la baterΓ­a. Esto lleva a ampliaciΓ³n de la regiΓ³n de agotamiento y por lo tanto aumenta el potencial de barrera. Y asΓ­, esto no causarΓ‘ mΓ‘s flujo de corriente a travΓ©s del dispositivo.

    DefiniciΓ³n de tiristor

    El tiristor es un dispositivo de 4 capas formado por combinaciΓ³n alternativa de materiales semiconductores de tipo p y n. Es un dispositivo utilizado para fines de rectificaciΓ³n y conmutaciΓ³n. SCR es el miembro mΓ‘s utilizado de la familia de tiristores y es el nombre comΓΊnmente utilizado cuando hablamos de tiristores. SCR tambiΓ©n permite el flujo de corriente en una direcciΓ³n y su acciΓ³n es controlada por un pulso de disparo externo aplicado en su terminal de compuerta.

    BΓ‘sicamente, SCR es un dispositivo de 4 capas en la configuraciΓ³n PNPN. Esta configuraciΓ³n genera 3 uniones en la estructura de SCR. Comprendamos ahora brevemente cΓ³mo funciona bΓ‘sicamente un SCR:

    Como ya hemos discutido, la operaciΓ³n de un tiristor depende principalmente del potencial externo aplicado en la terminal de la puerta. Entonces, entendamos el caso cuando no se proporciona ningΓΊn potencial externo en el terminal de la puerta, pero se aplica voltaje directo entre el Γ‘nodo y el cΓ‘todo.

    CondiciΓ³n de puerta imparcial del tiristor (SCR)

    Por lo tanto, como podemos ver en la figura que se muestra arriba, se aplica un voltaje directo entre el Γ‘nodo y el cΓ‘todo que hace que la uniΓ³n J1 y J3 estΓ©n polarizadas hacia adelante. Pero al mismo tiempo, la uniΓ³n J2 tendrΓ‘ polarizaciΓ³n inversa. Esto conducirΓ‘ a la generaciΓ³n de una regiΓ³n de agotamiento alrededor de J2. Por lo tanto, no fluirΓ‘ corriente directa a travΓ©s del dispositivo y solo fluirΓ‘ una corriente de fuga insignificantemente pequeΓ±a. Se dice que este estado es prΓ‘cticamente fuera del estado del tiristor (SCR).

    Ahora, suponga que no se aplica ningΓΊn potencial de puerta externo pero se aplica un potencial inverso entre el Γ‘nodo y el cΓ‘todo. Esta disposiciΓ³n de polarizaciΓ³n polariza inversamente la uniΓ³n J1 y J3 pero polariza directamente la uniΓ³n J2. AΓΊn asΓ­, solo la corriente de fuga fluirΓ‘ a travΓ©s del dispositivo.

    Por lo tanto, podemos decir que sin ningΓΊn potencial de puerta, SCR no conducirΓ‘ en condiciones de polarizaciΓ³n directa o inversa. Consideremos ahora el caso en que la terminal de puerta se activa con un potencial directo. TambiΓ©n se proporciona un voltaje directo entre el cΓ‘todo y el Γ‘nodo.

    CondiciΓ³n de puerta polarizada del tiristor (SCR)

    Entonces, en este caso, los electrones presentes en la regiΓ³n n experimentan repulsiΓ³n desde el terminal negativo de la baterΓ­a. Este movimiento genera corriente de puerta a travΓ©s del dispositivo. AdemΓ‘s, los orificios en la regiΓ³n p son repelidos por el terminal positivo de la baterΓ­a y se desplazan a travΓ©s de la uniΓ³n J2, lo que genera una corriente de Γ‘nodo.

    Esta acciΓ³n regenerativa permite que el SCR conduzca fuertemente. Sin embargo, cabe seΓ±alar aquΓ­ que una vez que el SCR comienza a conducir, el potencial de la puerta ya no juega ningΓΊn papel en la conducciΓ³n. Y el dispositivo sigue en estado ON.

    Diferencias clave entre diodo y tiristor

    1. Un diodo es de doscapa dispositivo que tiene ap y una regiΓ³n n. Mientras que un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas formado por una disposiciΓ³n alternativa de material de tipo p y n.
    2. Debido a las 2 capas en el diodo, existe una sola uniΓ³n en caso de diodo. Mientras que debido a las 4 capas, el tiristor tiene 3 uniones.
    3. Un diodo es un 2 Terminal dispositivo a saber, Γ‘nodo y cΓ‘todo. Pero un tiristor es un dispositivo de 3 terminales, de los 3 terminales, 2 son Γ‘nodo y cΓ‘todo, mientras que el otro es una puerta que se usa para proporcionar activaciΓ³n externa al circuito.
    4. los capacidad de manejo de potencia de tiristores es comparativamente mejor que los diodos.
    5. Diodos exhibe bajo tensiΓ³n de funcionamiento casi alrededor de 5000 V. Mientras que el voltaje de funcionamiento es de alrededor de 7000 V en el caso de los tiristores, que es comparativamente mΓ‘s alto que los diodos.
    6. El diodo es un dispositivo que no requiere activaciΓ³n externa pulso para iniciar la conducciΓ³n. Mientras que el tiristor necesita un pulso de activaciΓ³n externo para la operaciΓ³n del circuito.
    7. Los diodos son menos costoso en comparaciΓ³n con los tiristores.
    8. Los tiristores son comparativamente voluminoso que los diodos.

    ConclusiΓ³n

    Entonces, de la discusiΓ³n anterior podemos decir que tanto el diodo como el tiristor son dispositivos semiconductores. Pero el funcionamiento de los dos es bastante diferente por lo que encuentran aplicaciones en distintos campos.

    TambiΓ©n los diodos son ampliamente utilizados en circuitos de rectificaciΓ³n, recortadores y sujetadores, puertas lΓ³gicas y en circuitos multiplicadores de voltaje. Mientras que los tiristores son ampliamente utilizados en motores de alta potencia, inversores, en circuitos de rectificaciΓ³n controlada, temporizaciΓ³n y circuitos de protecciΓ³n contra sobretensiones.

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