Diferencia entre el tipo p y el semiconductor tipo n

Los diversos factores como el elemento dopante, la naturaleza del elemento dopante, los portadores mayoritarios y minoritarios en el semiconductor tipo p y tipo n. La densidad de electrones y huecos, el nivel de energ铆a y el nivel de Fermi, la direcci贸n de movimiento de los portadores mayoritarios, etc. se consideran para explicar la diferencia entre los semiconductores tipo p y tipo n.

La diferencia entre un semiconductor de tipo p y un semiconductor de tipo n se proporciona a continuaci贸n en forma tabulada.

BASE DE LA DIFERENCIA p TIPO SEMICONDUCTOR n TIPO SEMICONDUCTOR

Grupo de elementos de dopajeEn el elemento del grupo semiconductor III tipo P se agrega como elemento dopante.En el semiconductor de tipo n, el elemento del grupo V se agrega como elemento dopante.
Naturaleza del elemento de dopajeLa impureza agregada crea una vacante de electrones (agujeros) llamados 谩tomos aceptores.La impureza agregada proporciona electrones adicionales y se conoce como 谩tomo donante.
Tipo de impureza a帽adidaSe agregan impurezas trivalentes como Al, Ga, In, etc.Se agregan impurezas pentavalentes como P, As, Sb, Bi, etc.
Operadores mayoritariosLos agujeros son portadores mayoritariosLos electrones son portadores mayoritarios.
Portadores minoritariosLos electrones son portadores minoritarios.Los agujeros son portadores minoritarios
Densidad de electrones y huecosLa densidad de huecos es mucho mayor que la densidad de electrones.
nh >> ne
La densidad de electrones es mucho mayor que la densidad de huecos.
ne >> no
Nivel de energ铆aEl nivel de energ铆a del aceptor est谩 cerca de la banda de valencia y lejos de la banda de conducci贸n.El nivel de energ铆a del donante est谩 cerca de la banda de conducci贸n y lejos de la banda de valencia.
nivel de FermiEl nivel de Fermi se encuentra entre el nivel de energ铆a del aceptor y la banda de valencia.El nivel de Fermi se encuentra entre el nivel de energ铆a del donante y la banda de conducci贸n.
Movimiento de transportistas mayoritariosLos transportistas mayoritarios se mueven de mayor a menor potencial.Los transportistas mayoritarios se mueven de menor a mayor potencial.

El semiconductor tipo p se forma cuando el impureza trivalente se a帽ade al semiconductor puro. Del mismo modo, cuando un impureza pentavalente se a帽ade al semiconductor puro se obtiene un semiconductor de tipo n.

Diferencia entre semiconductor tipo p y tipo n

  1. En un semiconductor de tipo p, el elemento del grupo III de la tabla peri贸dica se agrega como elemento dopante, mientras que en el tipo n, el elemento del grupo V es el elemento dopante.
  2. Se agregan impurezas trivalentes como aluminio, galio e indio en el semiconductor de tipo p, mientras que en el semiconductor de tipo n se agregan impurezas pentavalentes como ars茅nico, antimonio, f贸sforo, bismuto, etc.
  3. La impureza agregada en el semiconductor de tipo p proporciona agujeros adicionales conocidos como 谩tomo aceptor, mientras que en el semiconductor de tipo n la impureza proporciona electrones adicionales y se denomina 谩tomo donante.
  4. En un semiconductor de tipo p, los portadores mayoritarios son huecos y los portadores minoritarios son electrones. En el semiconductor de tipo n, los electrones son portadores mayoritarios y los huecos son portadores minoritarios.
  5. La densidad de electrones es mucho mayor que la densidad de huecos en el semiconductor de tipo n indicado como ne >> no mientras que, en el semiconductor de tipo p, la densidad de huecos es mucho mayor que la densidad de electrones nh >> no.
  6. En un semiconductor de tipo n, el nivel de energ铆a del donante est谩 cerca de la banda de conducci贸n y lejos de la banda de valencia. En el semiconductor tipo p, el nivel de energ铆a del aceptor est谩 cerca de la banda de valencia y lejos de la banda de conducci贸n.
  7. El nivel de Fermi del semiconductor de tipo n se encuentra entre el nivel de energ铆a del donante y la banda de conducci贸n, mientras que el nivel de Fermi del semiconductor de tipo p se encuentra entre el nivel de energ铆a del aceptor y la banda de valencia.
  8. Los portadores mayoritarios se mueven de mayor a menor potencial en el tipo p mientras que, en el tipo n, los portadores mayoritarios se mueven de menor a mayor potencial.

De esta forma se diferencian los semiconductores tipo p y tipo n.

Dejar un comentario