Diferencia entre el tipo p y el semiconductor tipo n

<p>Los diversos factores como el elemento dopante, la naturaleza del elemento dopante, los portadores mayoritarios y minoritarios en el semiconductor tipo p y tipo n. La densidad de electrones y huecos, el nivel de energía y el nivel de Fermi, la dirección de movimiento de los portadores mayoritarios, etc. se consideran para explicar la diferencia entre los semiconductores tipo p y tipo n.

La diferencia entre un semiconductor de tipo p y un semiconductor de tipo n se proporciona a continuación en forma tabulada.

BASE DE LA DIFERENCIA p TIPO SEMICONDUCTOR n TIPO SEMICONDUCTOR

El semiconductor tipo p se forma cuando el impureza trivalente se añade al semiconductor puro. Del mismo modo, cuando un impureza pentavalente se añade al semiconductor puro se obtiene un semiconductor de tipo n.

Diferencia entre semiconductor tipo p y tipo n

1. En un semiconductor de tipo p, el elemento del grupo III de la tabla periódica se agrega como elemento dopante, mientras que en el tipo n, el elemento del grupo V es el elemento dopante.
2. Se agregan impurezas trivalentes como aluminio, galio e indio en el semiconductor de tipo p, mientras que en el semiconductor de tipo n se agregan impurezas pentavalentes como arsénico, antimonio, fósforo, bismuto, etc.
3. La impureza agregada en el semiconductor de tipo p proporciona agujeros adicionales conocidos como átomo aceptor, mientras que en el semiconductor de tipo n la impureza proporciona electrones adicionales y se denomina átomo donante.
4. En un semiconductor de tipo p, los portadores mayoritarios son huecos y los portadores minoritarios son electrones. En el semiconductor de tipo n, los electrones son portadores mayoritarios y los huecos son portadores minoritarios.
5. La densidad de electrones es mucho mayor que la densidad de huecos en el semiconductor de tipo n indicado como ne >> no mientras que, en el semiconductor de tipo p, la densidad de huecos es mucho mayor que la densidad de electrones nh >> no.
6. En un semiconductor de tipo n, el nivel de energía del donante está cerca de la banda de conducción y lejos de la banda de valencia. En el semiconductor tipo p, el nivel de energía del aceptor está cerca de la banda de valencia y lejos de la banda de conducción.
7. El nivel de Fermi del semiconductor de tipo n se encuentra entre el nivel de energía del donante y la banda de conducción, mientras que el nivel de Fermi del semiconductor de tipo p se encuentra entre el nivel de energía del aceptor y la banda de valencia.
8. Los portadores mayoritarios se mueven de mayor a menor potencial en el tipo p mientras que, en el tipo n, los portadores mayoritarios se mueven de menor a mayor potencial.

De esta forma se diferencian los semiconductores tipo p y tipo n.

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