Diferencia entre transistores NPN y PNP

Una de las principales diferencias entre el transistor NPN y el PNP es que en el transistor NPN el flujo de corriente entre el colector y el emisor cuando el suministro positivo se le da a la base, mientras que en el transistor PNP el portador de carga fluye desde el emisor al colector cuando el suministro es negativo. se da a la base. El transistor NPN y PNP se diferencian a continuaciΓ³n en el cuadro de comparaciΓ³n al considerar los otros factores.

Tanto el NPN como el PNP son el transistor de uniΓ³n bipolar. Son los dispositivos de control actuales y se utilizan principalmente para cambiar y amplificar la seΓ±al. Principalmente, el transistor NPN se usa en el circuito porque en el transistor NPN la corriente de conducciΓ³n es principalmente por electrones, mientras que en el transistor PNP la corriente de conducciΓ³n es debido a los agujeros. Como los electrones son mΓ‘s mΓ³viles, el NPN tiene una conducciΓ³n alta.

Las letras PNP y NPN muestran el voltaje requerido por el emisor, el colector y la base del transistor de uniΓ³n. El transistor NPN y PNP, ambos estΓ‘n hechos de diferentes materiales debido a que la corriente que se desarrolla en ellos tambiΓ©n difiere. A veces, cuando el voltaje se aplica a travΓ©s del emisor, los electrones cruzan la uniΓ³n de la base y llegan a la regiΓ³n del colector. Esto sucede porque la base del transistor NPN y PNP es muy delgada y estΓ‘ ligeramente dopada.

    GrΓ‘fica comparativa

    Base de comparaciΓ³n Transistor NPN Transistor PNP

    DefiniciΓ³nTransistor en el que dos capas de tipo n estΓ‘n separadas por una capa de tipo PDos bloques de semiconductores de tipo p estΓ‘n separados por un bloque delgado de semiconductor de tipo n.
    SΓ­mbolonpn-1pnp-2
    Forma completaNegativo Positivo y NegativoPositivo Negativo y Positivo
    DirecciΓ³n de la corrienteColector a emisorEmisor a colector
    EncenderCuando los electrones entran en la base.Cuando los agujeros entran en la base.
    Corriente interiorSe desarrollan debido a la posiciΓ³n variable de los electrones.Se originan debido a la posiciΓ³n variable de los agujeros.
    Corriente exteriorLa corriente se desarrolla debido al flujo de agujeros.La corriente se desarrolla debido al flujo de electrones.
    Portador de carga mayoritaria ElectrΓ³nAgujero
    Tiempo de cambioMΓ‘s rΓ‘pidoMΓ‘s lento
    Portador de cargo minoritarioAgujeroElectrΓ³n
    Voltaje positivoTerminal colectorTerminal emisor
    polarizado hacia adelanteUniΓ³n base del emisorUniΓ³n base del emisor
    PolarizaciΓ³n inversaUniΓ³n de la base del colectorUniΓ³n de la base del colector
    pequeΓ±a corrienteFlujos de emisor a baseBase a emisor
    SeΓ±al de tierraBajoElevado

    DefiniciΓ³n de transistor PNP

    El transistor PNP tiene dos bloques de material tipo p y un bloque de material tipo n. Tiene tres terminales emisor, base y colector. El emisor y el colector del transistor PNP estΓ‘n hechos de material tipo p y su base estΓ‘ hecha de material tipo n.

    npn-transistor-sΓ­mboloLa uniΓ³n base-emisor de PNP estΓ‘ conectada con polarizaciΓ³n directa mientras que la uniΓ³n base-colector estΓ‘ conectada con polarizaciΓ³n inversa. La uniΓ³n emisor-base empuja al portador de carga mayoritario hacia la base, estableciΓ©ndose asΓ­ la corriente del emisor. El agujero en el material de tipo p se combina con el material de tipo n, por lo que constituye la corriente de base. El orificio restante atraviesa la regiΓ³n de la base del colector polarizada negativamente y es recogido por el colector debido a que se desarrolla la corriente del colector. Por lo tanto, la corriente completa del emisor fluye a travΓ©s del circuito del colector.

    Corriente de emisor = Corriente de colector + Corriente de base

    diagrama de circuito npnDefiniciΓ³n de transistor NPN

    El transistor NPN consta de dos materiales semiconductores de tipo n que estΓ‘n separados por una capa delgada de material de tipo p. El colector es la regiΓ³n mΓ‘s gruesa y la base es la regiΓ³n mΓ‘s delgada del transistor NPN. La regiΓ³n base-emisor del transistor estΓ‘ en polarizaciΓ³n directa y la regiΓ³n base del colector estΓ‘ conectada en polarizaciΓ³n inversa. El voltaje de la polarizaciΓ³n inversa es considerablemente menor en comparaciΓ³n con la polarizaciΓ³n inversa.

    pnp-transistorLa uniΓ³n emisor-base estΓ‘ en polarizaciΓ³n directa debido a que una gran cantidad de electrones llegan a la base. Esto desarrolla la corriente del emisor. El electrΓ³n en la regiΓ³n base combinado con los huecos. Pero la base es muy delgada y estΓ‘ ligeramente dopada, por lo que solo los pequeΓ±os agujeros se combinan con los electrones y constituyen la corriente de la base. Los electrones restantes atraviesan la regiΓ³n de la base del colector y desarrollan la corriente del colector. Toda la corriente del emisor fluye a travΓ©s del circuito del colector.

    Corriente de emisor = Corriente de colector + Corriente de base

    pnp-transistor-sΓ­mbolo

    Diferencias clave entre transistores NPN y PNP

    1. El transistor NPN tiene dos bloques de materiales semiconductores tipo n y un bloque de materiales semiconductores tipo p, mientras que el transistor PNP tiene una capa delgada de material tipo p y dos capas gruesas de material tipo N.
    2. El sΓ­mbolo del transistor NPN y PNP es casi el mismo, la ΓΊnica diferencia entre ellos es la direcciΓ³n de la flecha que se basa en el emisor. En el transistor NPN, la cabeza de la flecha se mueve hacia afuera hasta la base y en PNP, la flecha se mueve hacia adentro.
    3. En el transistor NPN, la corriente fluye del colector al emisor porque se le da un suministro positivo a la base, mientras que en el transistor PNP la corriente fluye del emisor al colector.
    4. El transistor NPN se enciende cuando el electrΓ³n ingresa a la base, mientras que el transistor PNP se enciende cuando los agujeros ingresan a la base.
    5. La corriente interna en el transistor NPN se debe a la posiciΓ³n variable de los electrones, mientras que en el transistor PNP la corriente interna se debe a la posiciΓ³n variable de los orificios.
    6. En el transistor NPN, la corriente de salida existe debido a los flujos de los orificios y en PNP se constituye debido a los flujos de electrones.
    7. En el transistor NPN, el portador de carga mayoritario es el electrΓ³n, mientras que en el transistor PNP el agujero mayoritario es el portador de carga mayoritario.
    8. El portador de carga minoritario del transistor NPN es el hueco y en el transistor PNP son los electrones.
    9. El tiempo de conmutaciΓ³n del transistor NPN es mayor en comparaciΓ³n con el transistor PNP porque el portador de carga mayoritario del transistor NPN es un electrΓ³n.
    10. La uniΓ³n emisor-base del transistor NPN y PNP estΓ‘ conectada en polarizaciΓ³n directa.
    11. Nota: La uniΓ³n de base directa significa que el terminal p del diodo estΓ‘ conectado al terminal positivo del suministro y el material de tipo n estΓ‘ conectado al terminal negativo del suministro.
    12. La uniΓ³n de la base del colector del transistor NPN y PNP estΓ‘ conectada en polarizaciΓ³n inversa.
    13. Nota: La polarizaciΓ³n inversa significa que la regiΓ³n negativa estΓ‘ conectada al terminal positivo del suministro y la regiΓ³n p estΓ‘ conectada al terminal positivo del suministro.
    14. El transistor NPN se enciende cuando la pequeΓ±a corriente fluye del emisor a la base, mientras que al encender el transistor PNP, la pequeΓ±a corriente fluye de la base al emisor.
    15. La seΓ±al de tierra del transistor PNP se mantiene baja, mientras que en el transistor PNP la seΓ±al de tierra es alta.

    La clave de la acciΓ³n del transistor es una base ligeramente dopada entre el colector y el emisor fuertemente dopados.

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