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Semiconductor tipo p

<p>lo extrínseco Semiconductor tipo p se forma cuando un impureza trivalente se agrega a un semiconductor puro en una pequeña cantidad y, como resultado, se crea una gran cantidad de agujeros en él. Se proporciona una gran cantidad de orificios en el material semiconductor mediante la adición de impurezas trivalentes como Galio y indio.

Estos tipos de impurezas que producen semiconductores de tipo p se conocen como Impurezas del aceptor porque cada átomo de ellos crea un agujero que puede aceptar un electrón.

Una impureza trivalente como el galio, que tiene tres electrones de valencia, se agrega al cristal de germanio en una pequeña cantidad. Cada átomo de la impureza encaja en el cristal de germanio de tal manera que sus tres electrones de valencia forman enlaces covalentes con los tres átomos de germanio que lo rodean, como se muestra en la siguiente figura:

tipo-p-semiconductor-fig-1

En el cuartos enlaces covalentessolo el átomo de germanio contribuye con un electrón de valencia, mientras que el átomo de galio no tiene enlaces de valencia.

Por lo tanto, el cuarto enlace covalente está incompleto y le falta un electrón. Este electrón faltante se conoce como Agujero. Así, cada átomo de galio proporciona un agujero en el cristal de germanio.

Como una cantidad extremadamente pequeña de impureza de galio tiene una gran cantidad de átomos, por lo tanto, proporciona millones de agujeros en el semiconductor.

Índice de contenidos

Diagrama de banda de energía del semiconductor tipo p

El diagrama de banda de energía de un Semiconductor tipo p se muestra a continuación:

tipo-p-semiconductor-fig-2Se crea una gran cantidad de agujeros o espacios vacíos en el enlace covalente en el cristal con la adición de la impureza trivalente. Una cantidad pequeña o diminuta de electrones libres también está disponible en la banda de conducción.

Se producen cuando se imparte energía térmica a temperatura ambiente a los pares de huecos de electrones que forman cristales de germanio. Pero los agujeros son más numerosos en comparación con los electrones en la banda de conducción. Debido al predominio de los huecos sobre los electrones, el material se denomina semiconductor de tipo p.

La palabra “p” significa material positivo.

Conducción a través de semiconductores tipo p

En un semiconductor de tipo p, la impureza trivalente crea una gran cantidad de agujeros. Cuando se aplica una diferencia de potencial a través de este tipo de semiconductor como se muestra en la siguiente figura:

tipo-p-semiconductor-fig-3Los agujeros disponibles en la banda de valencia están dirigidos hacia el terminal negativo. Como el flujo de corriente a través del cristal es por agujeros, que son portadores de carga positiva, por lo tanto, este tipo de conductividad se conoce como positivo o conductividad tipo p. En una conductividad tipo p, los electrones de valencia se mueven de un covalente a otro.

La conductividad de un semiconductor de tipo n es casi el doble que la de un semiconductor de tipo p. Los electrones disponibles en la banda de conducción del semiconductor tipo n son mucho más móviles que los huecos disponibles en la banda de valencia en un semiconductor tipo p.

La movilidad de los agujeros es pobre ya que están más unidos al núcleo.

Incluso a temperatura ambiente, se forman los pares electrón-hueco. Estos electrones libres que están disponibles en cantidades diminutas también transportan una pequeña cantidad de corriente en los semiconductores de tipo p.

Ver también: Semiconductor tipo n

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