Transistor NPN

Definición: El transistor en el que un material de tipo p se coloca entre dos materiales de tipo n se conoce como Transistor NPN. El transistor NPN amplifica la señal débil Entra en la base y produce fuertes señales de amplificación en el extremo del colector. En el transistor NPN, la dirección de movimiento de un electrón es de la emisor a colector región debido a la cual se constituye la corriente en el transistor. Este tipo de transistor se usa principalmente en el circuito porque la mayoría de los portadores de carga son electrones que tienen una gran movilidad en comparación con los agujeros.

Construcción de transistores NPN

El transistor NPN tiene dos diodos conectados espalda con espalda. El diodo del lado izquierdo se llama diodo emisor-base, y los diodos del lado izquierdo se llaman diodo colector-base. Estos nombres se dan según el nombre de los terminales.

transistor npnEl transistor NPN tiene tres terminales, a saber, emisor, colector y base. La sección central del transistor NPN está ligeramente dopada y es el factor más importante del funcionamiento del transistor. El emisor está moderadamente dopado y el colector está fuertemente dopado.

Diagrama de circuito del transistor NPN

El diagrama de circuito del transistor NPN se muestra en la siguiente figura. El colector y el circuito base están conectados con polarización inversa, mientras que el emisor y el circuito base están conectados con polarización directa. El colector siempre está conectado al suministro positivo y la base está al suministro negativo para controlar los estados ON/OFF del transistor.

circuito npn

Funcionamiento del transistor NPN

El diagrama de circuito del transistor NPN se muestra en la siguiente figura. La polarización directa se aplica a través de la unión base-emisor, y la polarización inversa se aplica a través de la unión base-colector. El voltaje de polarización directa VEB es pequeño en comparación con el voltaje de polarización inversa VCB.

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El emisor del transistor NPN está fuertemente dopado. Cuando se aplica la polarización directa a través del emisor, la mayoría de los portadores de carga se mueven hacia la base. Esto hace que la corriente del emisor sea IE. Los electrones entran en el material tipo P y se combinan con los huecos.

La base del transistor NPN está ligeramente dopada. Debido a que solo se combinan unos pocos electrones y el resto constituye la corriente de base IB. Esta corriente de base entra en la región del colector. El potencial de polarización inversa de la región del colector aplica una gran fuerza de atracción sobre los electrones que llegan a la unión del colector. Así atraer o recoger los electrones en el colector.

La totalidad de la corriente del emisor se introduce en la base. Por lo tanto, podemos decir que la corriente del emisor es la suma de la corriente del colector y la base.

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