Conexi贸n base com煤n (configuraci贸n CB)

<p>Definici贸n: La configuraci贸n en la que la base del transistor es com煤n entre el circuito emisor y colector se denomina configuraci贸n base com煤n. La disposici贸n del circuito de base com煤n para el transistor NPN y PNP se muestra en la siguiente figura. En la conexi贸n base-emisor com煤n, la entrada se conecta entre el emisor y la base, mientras que la salida se toma entre el colector y la base.

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Índice de contenidos

Factor de amplificaci贸n de corriente (伪)

La relaci贸n entre la corriente de salida y la corriente de entrada se conoce como factor de amplificaci贸n actual. En la configuraci贸n de base com煤n, la corriente de colector IC es la corriente de salida y la corriente de emisor IE es la corriente de entrada. Por lo tanto, la relaci贸n de cambio en la corriente del emisor al colector a un voltaje constante del colector a la base se conoce como factor de amplificaci贸n de corriente de un transistor en configuraci贸n de base com煤n. Se representa por 伪 (alfa).

conexi贸n de base com煤n

Donde 螖IC es el cambio en el colector y 螖IE es el cambio en la corriente del emisor a VCB constante. Ahora,

conexi贸n-base-com煤n-image2

El valor del factor de amplificaci贸n actual es menor que la unidad. El valor del factor de amplificaci贸n (伪) llega a la unidad cuando la corriente de base se reduce a cero. La corriente base se vuelve cero solo cuando es delgada y ligeramente dopada. El valor pr谩ctico del factor de amplificaci贸n var铆a de 0,95 a 0,99 en el transistor comercial.

Colector de corriente

La corriente de base se debe a la recombinaci贸n de los electrones y los huecos en la regi贸n de la base. Toda la corriente del emisor no fluir谩 a trav茅s de la corriente. La corriente del colector aumenta ligeramente debido a los flujos de corriente de fuga debido al portador de carga minoritario. La corriente total del colector consiste;

  1. El gran porcentaje de corriente del emisor que llega al terminal del colector, es decir, 伪IE.
  2. La corriente de fuga Ifuga. El portador de carga minoritario se debe al flujo del portador de carga minoritario a trav茅s de la uni贸n colector-base, ya que la uni贸n est谩 fuertemente invertida. Su valor es mucho m谩s peque帽o que 伪IE.

Corriente total del colector,

conexi贸n de base com煤n

La expresi贸n anterior muestra que si IE = 0 (cuando el circuito del emisor est谩 abierto), todav铆a hay un peque帽o flujo de corriente en el circuito del colector llamado corriente de fuga. Esta corriente de fuga se representa como ICBO, es decir, la corriente de la base del colector con el circuito del emisor est谩 abierta.

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La corriente de fuga tambi茅n se abrevia como ICO, es decir, la corriente del colector con el circuito del emisor abierto.

Caracter铆sticas de la configuraci贸n de base com煤n (CB)

El diagrama caracter铆stico para determinar la caracter铆stica de base com煤n se muestra en la siguiente figura.

caracter铆stica de base com煤n

El voltaje de emisor a base VEB se puede variar ajustando el potenci贸metro R1. Se inserta una resistencia en serie RS en el circuito del emisor para limitar la corriente del emisor IE. El valor del emisor cambia a un valor grande, incluso el valor de un potenci贸metro cambia ligeramente. El valor del voltaje del colector cambia ligeramente al cambiar el valor del potenci贸metro R2. La curva caracter铆stica de entrada y salida del potenci贸metro se explica a continuaci贸n en detalle.

Caracter铆stica de entrada

La curva trazada entre la corriente de emisor IE y la tensi贸n de base de emisor VEB a una tensi贸n de base de colector constante VCB se denomina curva caracter铆stica de entrada. La curva caracter铆stica de entrada se muestra en la siguiente figura.

caracter铆stica de entrada

Los siguientes puntos se tienen en cuenta a partir de la curva caracter铆stica.

  1. Para un valor espec铆fico de VCB, la curva es una caracter铆stica de diodo en la regi贸n directa. La uni贸n del emisor PN tiene polarizaci贸n directa.
  2. Cuando el valor de la corriente base de voltaje aumenta, el valor de la corriente del emisor aumenta ligeramente. La uni贸n se comporta como un mejor diodo. La corriente del emisor y del colector es independiente del voltaje base del colector VCB.
  3. La corriente del emisor IE aumenta con el peque帽o aumento en el voltaje de base del emisor VEB. Muestra que la resistencia de entrada es peque帽a.

Resistencia de entrada

La relaci贸n entre el cambio en el voltaje de base del emisor y el cambio resultante en la corriente del emisor a un voltaje de base de colector constante VCB se conoce como resistencia de entrada. La resistencia de entrada se expresa mediante la f贸rmula

caracter铆stica de salida

El valor del voltaje VCB de la base del colector aumenta con los aumentos en la corriente de la base del colector. El valor de la resistencia de entrada es muy bajo y su valor puede variar desde unos pocos ohmios hasta 10 ohmios.

Curva caracter铆stica de salida

En la configuraci贸n de base com煤n, la curva trazada entre la corriente del colector y el voltaje de la base del colector VCB a una corriente de emisor constante IE se denomina caracter铆stica de salida. La configuraci贸n CB del transistor PNP se muestra en la siguiente figura. Se tienen en cuenta los siguientes puntos de la curva caracter铆stica.

salida-caracter铆stica

  1. La regi贸n activa de la uni贸n colector-base tiene polarizaci贸n inversa, la corriente del colector IC es casi igual a la corriente del emisor IE. El transistor siempre se opera en esta regi贸n.
  2. La curva de las regiones activas es casi plana. Las grandes cargas en VCB producen solo un peque帽o cambio en IC. El circuito tiene una resistencia de salida muy alta ro.
  3. Cuando VCB es positivo, la uni贸n colector-base tiene polarizaci贸n directa y la corriente del colector disminuye repentinamente. Este es el estado de saturaci贸n en el que la corriente del colector no depende de la corriente del emisor.
  4. Cuando la corriente del emisor es cero, la corriente del colector no es cero. La corriente que circula por el circuito es la corriente de fuga inversa, es decir, ICBO. La corriente depende de la temperatura y su valor oscila entre 0,1 y 1,0 渭A para transistores de silicio y entre 2 y 5 渭A para transistores de germanio.

Resistencia de salida

La relaci贸n entre el cambio en el voltaje de la base del colector y el cambio en la corriente del colector a una corriente de emisor constante IE se conoce como resistencia de salida.

resistencia de entrada

La caracter铆stica de salida del cambio en la corriente del colector es muy peque帽a con el cambio en VCB. Con el cambio en el voltaje colector-base. La resistencia de salida es muy alta, del orden de varios kil贸metros.

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