Diferencia entre el MOSFET en modo de agotamiento y el MOSFET en modo de mejora

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Modo de mejora MOSFET:

Para un MOSFET de mejora, el canal no existe inicialmente. Solo surge una vez que se aplica un voltaje mayor que Vth, el voltaje de umbral. Por ejemplo, en un MOSFET de canal n, el sustrato est谩 hecho de material tipo p. Considere que la fuente est谩 en un potencial de tierra de referencia de 0 voltios. Para un voltaje de puerta a fuente de 0 voltios, no hay canal en el sustrato de tipo p. Una vez que el voltaje comienza a aumentar, los agujeros se alejan de la regi贸n cercana a la puerta debido al potencial positivo creciente y, por lo tanto, dejan atr谩s una regi贸n de exceso de electrones. Esta regi贸n de exceso de electrones forma el canal para el nMOSFET. Esa es la raz贸n por la que se llama MOSFET de canal n.

Para un MOSFET de mejora de canal p, dado que el sustrato es de tipo n, para formar un canal de tipo p, necesitamos alejar los electrones de cerca de la regi贸n de la puerta, lo que significa que tenemos que aplicar una puerta negativa a la fuente de voltaje/ potencial. Por lo tanto, para un MOSFET de mejora, el canal no existe en Vgs = 0V y entra en juego solo cuando se excede el voltaje de umbral, Vth. Esta es la raz贸n por la cual se le llama Mejora escribe MOSFET ya que la aplicaci贸n de un voltaje mejora el canal de un estado de casi inexistencia a un estado de existencia.

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MOSFET de modo de agotamiento:

Para MOSFET tipo empobrecimiento, todo es igual excepto que el canal ya est谩 implantado en el sustrato por difusi贸n. Por lo tanto, una corriente puede fluir entre la fuente y el drenaje incluso a Vgs = 0 voltios, ya que los portadores de carga ya est谩n presentes y no es necesario aplicar un voltaje de polarizaci贸n para crear una regi贸n de exceso de portadores cerca de la regi贸n de la puerta.

Por ejemplo, para el MOSFET de tipo empobrecimiento de canal n que se muestra arriba, el canal ya se ha implantado en el sustrato por difusi贸n y as铆 es como se ve el dispositivo sin ning煤n sesgo. Compare eso con el aspecto de un MOSFET mejorado CON BIAS como se muestra en la figura anterior. Para el dispositivo anterior, si comenzamos a aumentar el voltaje de la fuente de la puerta, m谩s y m谩s agujeros se alejar谩n del canal y, por lo tanto, el canal se profundizar谩, mejorar谩, ya que la salida dejar谩 m谩s y m谩s electrones descubiertos en exceso. agujeros

Si ahora comenzamos a disminuir el voltaje de la fuente de la puerta, los agujeros ser谩n atra铆dos hacia la puerta debido al potencial decreciente y, por lo tanto, el canal comenzar谩 a volverse m谩s y menos profundo, es decir, se agotar谩. En otras palabras, podemos decir que el canal se est谩 agotando de portadores libres, es decir, electrones. Esta es la raz贸n por la que se llama Tipo de empobrecimiento nMOSFET. Ahora deber铆a quedar claro que el nMOSFET de empobrecimiento debe tener un voltaje de umbral negativo Vth, mientras que un MOSFET de tipo de mejora de canal n tiene un voltaje de umbral positivo.

En breve,

Modo de mejora MOSFET:

El canal no existe inicialmente. Cuando aplicamos un voltaje de entrada conocido como canal de voltaje de umbral, se crea mediante la repulsi贸n de los portadores mayoritarios en la regi贸n principal entre la FUENTE y el DRENAJE cerca de la PUERTA. El estado predeterminado es APAGADO, es decir, no fluye corriente sin aplicar voltaje.

MOSFET de modo de agotamiento:

El canal ya existe. Tenemos que aplicar algo de voltaje de entrada para colapsar el canal y detener el flujo de corriente entre la FUENTE y el DRENAJE. El estado predeterminado es ON, es decir, la corriente fluye sin aplicar voltaje.

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