Diferencia entre polarizaci贸n directa e inversa

<p>Una de las principales diferencias entre la polarizaci贸n directa y la inversa es que en la polarizaci贸n directa el terminal positivo de la bater铆a est谩 conectado a la semiconductor tipo p material y el borne negativo est谩 conectado a la semiconductor tipo n material. Mientras que en polarizaci贸n inversa el material de tipo n est谩 conectado a la terminal positivo del suministro y la material tipo p est谩 conectado a la borne negativo de la bater铆a La polarizaci贸n directa e inversa se diferencia a continuaci贸n en el cuadro de comparaci贸n.

La polarizaci贸n significa que el suministro el茅ctrico o la diferencia de potencial est谩 conectado al dispositivo semiconductor. La diferencia de potencial es de dos tipos, a saber: polarizaci贸n directa y polarizaci贸n inversa.

los sesgo hacia adelante reduce la barrera potencial del diodo y establece el camino f谩cil para el flujo de corriente. Mientras en Polarizaci贸n inversa la diferencia de potencial aumenta la fuerza de la barrera que evita que el portador de carga se mueva a trav茅s de la uni贸n. La polarizaci贸n inversa proporciona la ruta de alta resistencia al flujo de corriente y, por lo tanto, no fluye corriente a trav茅s del circuito.

    Índice de contenidos

    Gr谩fica comparativa

    Base para la comparaci贸n Polarizaci贸n directa Polarizaci贸n inversa

    Definici贸nEl voltaje externo que se aplica a trav茅s del diodo PN para reducir la barrera potencial para que constituya el f谩cil flujo de corriente a trav茅s de 茅l se denomina polarizaci贸n directa.El voltaje externo que se aplica a la uni贸n PN para fortalecer la barrera de potencial y evitar el flujo de corriente a trav茅s de ella se denomina polarizaci贸n inversa.
    S铆mbolos铆mbolo de polarizaci贸n directaPolarizaci贸n inversa
    Conexi贸nEl terminal positivo de la bater铆a est谩 conectado al semiconductor tipo P del dispositivo y el terminal negativo est谩 conectado al semiconductor tipo NEl terminal negativo de la bater铆a est谩 conectado a la regi贸n P y el terminal positivo de la bater铆a est谩 conectado al semiconductor de tipo N.
    Potencial de barrerareduce Fortalecer
    VoltajeEl voltaje de un 谩nodo es mayor que el del c谩todo.El voltaje del c谩todo es mayor que el del 谩nodo.
    Corriente directaGrandePeque帽a
    Capa de agotamientoDelgadoGrueso
    Resistencia Bajo Elevado
    Flujo actual permitePreviene
    Magnitud de corrienteDepende del voltaje directo. Cero
    Funcionar ConductorAislante

    Definici贸n de polarizaci贸n directa

    En la polarizaci贸n directa, el voltaje externo se aplica a trav茅s del diodo de uni贸n PN. Este voltaje cancela la barrera potencial y proporciona el camino de baja resistencia al flujo de corriente. La polarizaci贸n directa significa que la regi贸n positiva est谩 conectada al terminal p del suministro y la regi贸n negativa est谩 conectada al tipo n del dispositivo.

    circuito de polarizaci贸n directa

    El voltaje potencial de la barrera es muy peque帽o (casi 0,7 V para la uni贸n de silicio y 0,3 V para la uni贸n de germanio), por lo que se requiere muy poca cantidad de voltaje para la eliminaci贸n completa de la barrera. La eliminaci贸n completa de la barrera constituye el camino de baja resistencia para el flujo de corriente. Por lo tanto, la corriente comienza a fluir a trav茅s de la uni贸n. Esta corriente se llama corriente directa.

    Definici贸n de polarizaci贸n inversa

    En polarizaci贸n inversa, la regi贸n negativa est谩 conectada al terminal positivo de la bater铆a y la regi贸n positiva est谩 conectada al terminal negativo. El potencial inverso aumenta la fuerza de la barrera de potencial. La barrera de potencial resiste el flujo del portador de carga a trav茅s de la uni贸n. Crea una ruta de alta resistencia en la que no fluye corriente a trav茅s del circuito.

    circuito de polarizaci贸n inversa

    Diferencias clave entre polarizaci贸n directa e inversa

    1. La polarizaci贸n directa reduce la fuerza de la barrera potencial debido a que la corriente se mueve f谩cilmente a trav茅s de la uni贸n, mientras que la polarizaci贸n inversa fortalece la barrera potencial y obstruye el flujo del portador de carga.
    2. En la polarizaci贸n directa, el terminal positivo de la bater铆a est谩 conectado a la regi贸n p y el terminal negativo est谩 conectado al material tipo n, mientras que en la polarizaci贸n inversa, el terminal positivo del suministro est谩 conectado al material tipo n y el terminal negativo. est谩 conectado al material tipo p del dispositivo.
    3. La polarizaci贸n directa establece el campo el茅ctrico a trav茅s del potencial, lo que reduce la fuerza de la barrera de potencial, mientras que la polarizaci贸n inversa aumenta la fuerza de la barrera de potencial.
      • Nota: la barrera de potencial es la capa entre el diodo de uni贸n PN que restringe el movimiento de electrones a trav茅s de la uni贸n.
    4. En la polarizaci贸n directa, el voltaje del 谩nodo es mayor que el del c谩todo, mientras que en la polarizaci贸n inversa, el voltaje del c谩todo es mayor que el del 谩nodo.
    5. La polarizaci贸n directa tiene una corriente directa grande mientras que la polarizaci贸n inversa tiene una corriente directa muy peque帽a.
      • Nota: la corriente en el diodo cuando fluye en la direcci贸n directa se denomina corriente directa.
    6. La capa de agotamiento del diodo es muy delgada en polarizaci贸n directa y gruesa en polarizaci贸n inversa.
      • Nota: la capa de agotamiento es la regi贸n alrededor de la uni贸n en la que se agotan los portadores de carga gratuitos.
    7. La polarizaci贸n directa disminuye la resistencia del diodo, mientras que la polarizaci贸n inversa aumenta la resistencia del diodo.
    8. En la polarizaci贸n directa, la corriente fluye f谩cilmente a trav茅s del circuito, mientras que la polarizaci贸n inversa no permite que la corriente fluya a trav茅s de 茅l.
    9. En la polarizaci贸n directa, la magnitud de la corriente depende del voltaje directo, mientras que en la polarizaci贸n inversa, la magnitud de la corriente es muy peque帽a o insignificante.
    10. En la polarizaci贸n directa, el dispositivo funciona como un conductor, mientras que en la polarizaci贸n inversa, el dispositivo act煤a como un aislante.

    El voltaje directo del diodo de silicio es de 0,7 voltios y el voltaje directo del germanio es de 0,3 voltios.

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