<p>La magnetorresistividad es el fenómeno de cambio de resistividad de algunos metales y semiconductores cuando se exponen a un campo magnético externo. Este fenómeno se observa a baja temperatura. Los materiales que poseen magnetorresistividad se denominan magnetorresistores.
La magnetorresistividad se observa debido al alargamiento de la trayectoria del electrón en movimiento cuando experimenta una fuerza debida a un campo magnético externo. Esta propiedad depende de la movilidad de los electrones. Es más alto en semiconductores como el antimonuro de indio, que tiene una movilidad de 7,8 m2/Vs. en comparación con 50×10-4m2/Vs para un metal.
Los magnetorresistores son sensibles al campo magnético total y no a su tasa de cambio. El valor de la resistencia depende de la dirección del campo magnético. El cambio máximo en la resistencia ocurre cuando el cristal de indio antimoide es paralelo entre sí y el campo magnético y eléctrico son mutuamente ortogonales. La siguiente figura muestra las características de un elemento magnetorresistivo.
Cuando no hay campo magnético, la magnetización es a lo largo de la longitud elemental O. A medida que aumenta la fuerza del campo magnético, la magnetización aumenta hasta que se alcanza el punto b. Más allá del punto b, el material se satura.
Los magnetorresistores se construyen depositando una película de unos 25 micrómetros de antimoniuro de indio/ antimoniuro de níquel en un sustrato de 0,1 mm de espesor. La película tiene forma de meandro y el valor de la resistencia a un campo magnético cero se puede variar cambiando la dimensión de este meandro y el número de bucles. La película está aislada del sustrato, que puede estar hecho de una base magnética recubierta con una delgada película aislante de un material no magnético, como cerámica o plástico.
El efecto magnetorresistivo, en algunos metales, es incluso perceptible a temperatura ambiente, por ejemplo el bismuto. La resistividad del bismuto se duplica cuando se expone a un campo de 1,5 × 106 A/m. Por lo tanto, este metal podría usarse para la medición de la densidad de flujo.
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