Definición: La configuración en la que el emisor está conectado entre el colector y la base se conoce como configuración de emisor común. El circuito de entrada está conectado entre el emisor y la base, y el circuito de salida se toma del colector y el emisor. Por lo tanto, el emisor es común tanto al circuito de entrada como al de salida y, por lo tanto, el nombre es configuración de emisor común. La disposición del emisor común para el transistor NPN y PNP se muestra en la siguiente figura.
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Factor de amplificación de corriente base (β)
El factor de amplificación de corriente base se define como la relación entre la corriente de salida y la de entrada en una configuración de emisor común. En la amplificación de emisor común, la corriente de salida es la corriente de colector IC y la corriente de entrada es la corriente de base IB.
En otras palabras, la relación de cambio en la corriente del colector con respecto a la corriente base se conoce como factor de amplificación base. Está representado por β (beta).
Relación entre el factor de amplificación actual (α) y el factor de amplificación base (β)
La relación entre Β y α se puede derivar como
sabemos,
Ahora,
Sustituyendo el valor de ΔIE en la ecuación (1), obtenemos,
La ecuación anterior muestra que cuando α llega a la unidad, entonces β llega al infinito. En otras palabras, la ganancia de corriente en una configuración de emisor común es muy alta y, por esta razón, el circuito de arreglo de emisor común se usa en todas las aplicaciones de transistores.
Colector de corriente
En la configuración CE, la corriente de entrada IB y la corriente de salida IC están relacionadas por la ecuación que se muestra a continuación.
Si la corriente base está abierta (es decir, IB = 0). La corriente del colector es corriente para el emisor, y esta corriente se abrevia como ICEO, que significa corriente colector-emisor con la base abierta.
Sustituyendo el valor ΔIB en las ecuaciones (1), obtenemos,
Características de la configuración de emisor común (CE)
La característica del circuito de transistor de emisor común se muestra en la siguiente figura. El voltaje de base a emisor varía ajustando el potenciómetro R1. Y el voltaje del colector al emisor varió ajustando el potenciómetro R2. Para los distintos ajustes, la corriente y el voltaje se toman de los miliamperímetros y voltímetros. Sobre la base de estas lecturas, la curva de entrada y salida se trazó en la curva.
Curva característica de entrada
La curva trazada entre la corriente base IB y el voltaje base-emisor VEB se denomina curva característica de entrada. Para dibujar la característica de entrada, la lectura de las corrientes de base se toma a través del amperímetro en el voltaje del emisor VBE a una corriente colector-emisor constante. La curva para diferentes valores de la corriente de la base del colector se muestra en la siguiente figura.
La curva para la configuración de base común es similar a la característica de un diodo directo. La corriente base IB aumenta con los aumentos en el voltaje emisor-base VBE. Por lo tanto, la resistencia de entrada de la configuración CE es comparativamente más alta que la de la configuración CB.
El efecto de CE no provoca una gran desviación en las curvas y, por lo tanto, se ignora el efecto de un cambio en VCE en la característica de entrada.
Resistencia de entrada: La relación entre el cambio en el voltaje base-emisor VBE y el cambio en la corriente base ∆IB a un voltaje colector-emisor constante VCE se conoce como resistencia de entrada, es decir,
Característica de salida
En la configuración CE, la curva que se dibuja entre la corriente de colector IC y la tensión de colector-emisor VCE a una corriente de base constante IB se denomina característica de salida. La curva característica para el transistor NPN típico en configuración CE se muestra en la siguiente figura.
En la región activa, la corriente del colector aumenta ligeramente a medida que aumenta la corriente VCE del colector-emisor. La pendiente de la curva es bastante mayor que la característica de salida de la configuración CB. La resistencia de salida de la conexión base común es mayor que la de la conexión CE.
El valor de la corriente de colector IC aumenta con el aumento de VCE a voltaje constante IB, el valor β de también aumenta.
Cuando cae el VCE, el IC también disminuye rápidamente. La unión colector-base del transistor siempre en polarización directa y trabajo saturado. En la región de saturación, la corriente del colector se vuelve independiente y libre de la corriente de entrada IB
En la región activa IC = βIB, una pequeña corriente IC no es cero y es igual a la corriente de fuga inversa ICEO.
Resistencia de salida: La relación entre la variación de la tensión colector-emisor y la corriente colector-emisor se conoce a corrientes de colector a una corriente de base constante IB y se denomina resistencia de salida ro.
El valor de la resistencia de salida de la configuración CE es mayor que el de CB
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