Barrera de potencial en un diodo

<p>Definici贸n: La barrera de potencial en el diodo de uni贸n PN es la barrera en la que la carga requiere una fuerza adicional para cruzar la regi贸n. En otras palabras, la barrera en la que el portador de carga se detiene por la fuerza obstructiva se conoce como barrera potencial.

驴C贸mo se establece?

Cuando el material semiconductor de tipo P y N se colocan juntos, se crea el gradiente de portadores de carga de densidad muy grande en la regi贸n del lado P y N. Los electrones libres del lado N cruzan la regi贸n y comienzan a combinarse con los huecos, dejando atr谩s los iones donantes positivos inm贸viles. De manera similar, los huecos de la regi贸n P se combinan con los electrones de la regi贸n N y dejan atr谩s los iones aceptores negativos.

diodo de uni贸n pn

El proceso contin煤a hasta que las regiones P y N tienen suficiente portador de carga para oponerse a los electrones y los huecos, respectivamente. Los iones inm贸viles (iones aceptores negativos e iones donantes positivos) se concentran entre las regiones N y P y crean el campo el茅ctrico que act煤a como una barrera entre los flujos de cargas. La regi贸n se crea debido a los iones agotados y, por lo tanto, se llama regi贸n de agotamiento.

La regi贸n de agotamiento act煤a como una barrera y se opone al flujo del portador de carga. El valor del potencial de barrera se encuentra entre 0,3 y 0,7 V, seg煤n el tipo de material utilizado.

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