Diferencia entre semiconductor intrínseco y extrínseco

los Intrínseco y Extrínseco semiconductores se distinguen entre sí teniendo en cuenta varios factores, como el dopaje o la adición de la impureza, la densidad de electrones y huecos en el material semiconductor, la conductividad eléctrica y su dependencia de varios otros factores.

La diferencia entre los dos tipos de semiconductores se detalla a continuación.

BASE DE LA DIFERENCIA SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO SEMICONDUCTOR EXTRÍNSICO

Dopaje de impurezas	El dopaje o la adición de impurezas no tiene lugar en un semiconductor intrínseco.	Se dopa una pequeña cantidad de impureza en un semiconductor puro para preparar un semiconductor extrínseco.
Densidad de electrones y huecos.	El número de electrones libres en la banda de conducción es igual al número de huecos en la banda de valencia.	El número de electrones y huecos no es igual.
Conductividad eléctrica	La conductividad eléctrica es baja.	La conductividad eléctrica es alta.
Dependencia de la conductividad eléctrica.	La conductividad eléctrica es una función únicamente de la temperatura.	La conductividad eléctrica depende de la temperatura así como de la cantidad de dopaje de impurezas en el semiconductor puro.
Ejemplo	Forma cristalina de silicio puro y germanio.	Las impurezas como As, Sb, P, In, Bi, Al, etc. están dopadas con átomos de germanio y silicio.

Semiconductor intrínseco es una forma pura del semiconductor ya que aquí no se produce ninguna adición de impurezas. Un ejemplo de semiconductores intrínsecos es el silicio (Si) y el germanio (Ge).

Por otro lado, cuando se agrega una pequeña cantidad de impureza tetravalente o pentavalente como arsénico (As), aluminio (Al), fósforo (P), galio (Ga), indio (In), antimonio (Sb), etc. semiconductor, un Semiconductores extrínsecos es obtenido.

Diferencia entre semiconductor intrínseco y extrínseco

En un semiconductor intrínseco, no se produce la adición de impurezas con un semiconductor puro, mientras que el semiconductor extrínseco se forma mediante la adición de impurezas en un semiconductor puro.
La densidad de electrones y huecos en el semiconductor intrínseco es la misma, es decir, el número de electrones libres presentes en la banda de conducción es igual al número de huecos en la banda de valencia. Pero en el caso de los semiconductores extrínsecos, el número de electrones y huecos no es igual. En un semiconductor de tipo p, los huecos están en exceso y en un semiconductor de tipo n el número de electrones es mayor que el número de huecos.
La conductividad eléctrica de un semiconductor intrínseco es baja., mientras que en semiconductores extrínsecos la conductividad eléctrica es alta.
La impureza como arsénico, antimonio, fósforo, indio de aluminio, etc. se agrega a la forma pura de silicio y germanio para formar un semiconductor extrínseco. La forma pura de cristal de silicio y germanio se utiliza en un semiconductor intrínseco.
La conductividad eléctrica en un semiconductor intrínseco es función únicamente de la temperatura, pero en un semiconductor extrínseco la conductividad eléctrica depende de la temperatura y la cantidad de dopaje de impurezas en el semiconductor puro.

De esta forma, los semiconductores intrínsecos son diferentes de los semiconductores extrínsecos.